fa اثر تغییرات توان تراگذار فراآوایی و زمان تابش امواج فراآوا بر ضخامت نانوپوسته‌های دو- بعدی دی‌سولفیدمولیبدن ساخته‌شده به روش آوافیزیک آوافیزیک Sonophysics پژوهشي Research <div style="text-align: justify;"><span style="font-family:b nazanin;">در این پژوهش، نانو پوسته‌های دو-</span> <span style="font-family:b nazanin;">بعدی </span><span style="font-family:b nazanin;">دی‌سولفیدمولیبدن</span> <span style="font-family:b nazanin;">به روش</span><span style="font-family:b nazanin;"> پوسته‌سازی در فاز مایع</span><span style="font-family:b nazanin;"> با استفاده از تراگذار فراآوایی تولید شدند. توان پروب و زمان تابش تغییر داده شد تا آثار این تغییرات بر ضخامت پوسته‌های حاصل مطالعه گردید. نتایج حاصل از طیف‌سنجی فرابنفش-</span> <span style="font-family:b nazanin;">مرئی و میکروسکوپ الکترونی (</span><span style="font-family:b nazanin;">اِس‌ایی‌اِم)</span><span style="font-family:b nazanin;"> نشان می‌دهد که ضخامت کمینه برای نمونه‌ها در توان 65 وات حاصل می‌شود و مناسب‌ترین مدت زمان تابش یک ساعت است.</span><br> &nbsp;</div> <div style="text-align: justify;">In this research, MoS₂ nanoflakes were prepared via the Liquid Phase Exfoliation method by utilizing an ultrasonic probe. We changed the power of our sonicator and the sonication time to investigate their effects on the thickness of obtained flakes. Our findings from UV-Visible Spectra and the SEM images have indicated that the minimum thickness for these samples has been acquired at the power of 65 watts and the optimal irradiation duration is one hour.</div> نانوپوسته‌های دی‌سولفیدمولیبدن, توان تراگذار فراآوایی, زمان تابش, گاف انرژی, ضخامت لایه‌ها. MoS2 nanoflakes, Ultrasonic probe power, Irradiation time, Band gap, Thickness of layers. 50 57 http://joasi.ir/browse.php?a_code=A-10-942-2&slc_lang=fa&sid=1 N.S. Taghavi نجمه السادات تقوی ntaghavi@email.kntu.ac.ir 4322219136 10031947532846002070 No K. N. Toosi University of Technology دانشکده فیزیک، دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی R. Afzalzadeh رضا افضل زاده afzalzadeh@kntu.ac.ir 1755667280 10031947532846002071 Yes K. N. Toosi University of Technology دانشکده فیزیک، دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی